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点击图片查看原图IGBT一种是功率半导体器件，用于电力转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能优势，具有高耐压，大电流，低导通损耗等特点。
随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电， 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。普赛斯IGBT静态参数测试系统1000A集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六
IGBT静态参数测试平台优点：
量程范围宽—具有高电压和大电流特性，电压可高达3kV，电流可高达4000A（多模块并联）。
测量精度高—采用多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有uΩ级精确测量、pA级电流测量能力。
模块化测量单元—测量单元采用模块化设计理念，可根据测试需求搭配不同规格测量单元。系统预留有升级空间，后期可添加或升级测量单元，降低整体使用成本。
测试效率高—内置专用开关矩阵夹具，符合国标测试要求，根据测试项目自动切换电路与测量单元，提高测试效率。
技术指标
IGBT静态参数测试系统1000A应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
IGBT静态参数测试系统1000A优点：
高电压：支持高达3KV高电压测试；
大电流：支持高达4KA大电流测试；
高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；